近日，国家自然科学基金委员会正式下发资助项目结题通知，航天科技集团五院514所承研的首项静电领域国家自然科学基金项目“AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）极化散射效应与外界静电场耦合作用机理研究”顺利结题，标志着514所在电子器件静电防护技术领域再次迈出坚实步伐。

在众多结构的电子器件中，基于第三代前沿半导体材料的AlGaN/GaN HFET具备更高的击穿电压、更高的临界电场、更高的载流子迁移率和饱和漂移速率以及更高的抗辐射和抗腐蚀性能，使其在航空航天、无线通信、电力传输等国防军工和国民经济领域有着极其广阔的应用前景。后续，514所将以此为新的契机，集中内外部优势资源，深化静电核心技术体系，深耕静电防护专业与产业发展，为航天强国建设贡献力量。（杨铭）